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V8 Etch是天芯微獨立研發的12英寸深硅刻蝕設備，具有自主知識產權，可實現高深寬比的硅通孔和溝槽刻蝕，最多可同時掛載6個獨立的反應腔，產能更大，CoO更小。

V8 Etch深硅刻蝕設備廣泛應用2.5D&3D封裝、TSV刻蝕、CMOS圖像傳感器（CIS）、深溝槽隔離（DTI）、深溝槽電容（DTC）、功率器件硅溝槽刻蝕、MEMS溝槽刻蝕等領域。該設備搭配先進的工藝實時監測系統，同時配合EtherCAT通信方式，響應更快，沉積和刻蝕的切換周期更短。

V8 Etch應用了多種先進設計，如分區進氣系統、對稱腔體結構、高功率等離子源、快速氣體切換系統、和準確離子能量控制等，為工藝提供了更多的可能性和可調性。

產品特點

• 兼容Bosch和Non-Bosch工藝

• 晶圓邊緣保護環

• 多參數Ramp功能

• 對稱的腔體結構設計