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解決方案

專注于半導(dǎo)體前端工藝設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)制造

IGBT+EPI wafer

發(fā)布時(shí)間：2021-08-25

外延沉積對(duì)功率器件至關(guān)重要，器件以較低的源漏電阻，較大的切斷電阻，實(shí)現(xiàn)更快的切換速度。

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