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9月25-27日，第十二屆半導體設備年會（CSEAC 2024）在無錫太湖國際博覽中心盛大召開。

作為先導集團在半導體高端前道設備領域的關鍵布局、先導集成電路裝備與零部件材料產業園的核心企業，天芯微攜旗下Compass HP 平臺12寸硅基減壓、常壓外延解決方案以及最新的深硅刻蝕方案亮相本次大會，受到產業鏈上下游廣泛關注。同時，先導集團董事長王燕清也受邀出席大會，并發表主題演講。

隨著集成電路制造向更小特征線寬尺寸發展，以先進邏輯芯片和存儲器件為代表的產品對制造工藝要求也不斷提升，各種新的外延工藝應用場景層出不窮，對外延系統的功能提出了更高的要求。

基于Compass HP平臺，天芯微在國內率先推出了完全國產自主化的12寸硅基減壓外延設備Epi RP 300 Compass HP以及硅基常壓外延設備Epi ATM 300 Compass HP，滿足晶圓廠對先進器件制造的需求。

Epi RP 300 Compass HP是先進制程外延工藝的創新解決方案，應用于邏輯芯片、功率及存儲器件制造，適用于硅、硅鍺、硅磷等材料的外延生長。創新的Compass HP平臺可靈活配置多個外延腔，集成至多2個預清洗腔，滿足差異化的產能需求和工藝要求。

Epi ATM 300 Compass HP適用于大硅片、功率器件和MEMS等外延工藝需求，憑借天芯微自主研發的壓控FRC技術及獨立多區進氣模組，帶來了更高效的沉積速率和更可觀的膜厚及均一性。該設備同樣繼承了天芯微Compass HP平臺靈活的生產配置能力。

近年來，人工智能、高性能算力等快速發展，對上游器件要求不斷提升，2.5D&3D等先進封裝技術憑借其高集成度帶來卓越的性能和互聯互通，TSV（硅通孔）技術在其中起到關鍵作用。

針對產業發展趨勢和市場不斷增加的需求，天芯微自主研發了旗下首款深硅刻蝕設備V8 Etch，可實現高深寬比的TSV（硅通孔）和溝槽刻蝕，可應用于2.5D&3D封裝、CMOS圖像傳感器（CIS）、深溝槽隔離（DTI）、深溝槽電容（DTC）、功率器件硅溝槽刻蝕、MEMS 溝槽刻蝕等領域，為產業界提供了國產化創新解決方案。

V8 Etch 應用了多種先進設計，如分區進氣系統、對稱腔體結構、高功率等離子源、快速氣體切換系統、和準確離子能量控制等，為工藝提供了更多的可能性和可調性。

未來，天芯微將持續聚焦市場需求，強化技術創新和產品研發，積極拓展半導體制造高端設備領域，為產業發展升級注入活力，助力半導體國產裝備的自主化之路。

先導集團董事長王燕清：全球AI浪潮下，半導體國產裝備的自主之路

本次大會，先導集團董事長王燕清受邀發表了《全球AI浪潮下，半導體國產裝備的自主之路》演講，分享了先導在半導體裝備領域的戰略規劃和自主之路。

王燕清董事長表示，在全球AI浪潮如火如荼發展的當下，國產半導體裝備將迎來新的發展機遇。天芯微等先導集成電路裝備與零部件、材料產業園的園內企業，在著力于提升國產設備質量與性能的同時，將進一步發揮本土化響應優勢，提供定制化服務，縮短設備交付周期，助力國產設備實現從“能用”到“好用”的飛躍。不僅如此，先導集團在助力半導體裝備實現國產化替代的自主之路上，還將把握“聚焦技術引領、人才培養、和聚焦平臺”等“三個聚焦”，堅定落實“三個1”方針，為中國半導體產業的發展提供強有力的支撐。